|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2259963 Herst.-Nr.:
SQJQ144AER-T1_GE3 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 575 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = N-Channel 40 V
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0019 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.AEC-Q101-qualifiziert 100 % Rg- und UIS-geprüft Dünnes 1,6-mm-Gehäuse Sehr niedriger Wärmewiderstand Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 575 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | N-Channel 40 V | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0019 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 2259963, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJQ144AERT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |