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Infineon IGBT / 25 A 20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin EasyPIM N-Kanal


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2266059
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP25R12W2T7B11BPSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 25 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = EasyPIM
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23

Das Infineon 25 A PIM IGBT-Modul hat eine kompakte Bauweise und verwendete Presssitz-Kontakttechnologie. Er hat eine niedrige Spannung im eingeschalteten Zustand VCEsat.Überlastbetrieb bis zu 175 °C. 2,5 kV AC, 1 min Isolierung Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
25 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
1200 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
20 mW
Gehäusegröße:
EasyPIM
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
23
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, igbt, 2266059, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, FP25R12W2T7B11BPSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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