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| Artikel-Nr.: 3794E-2266075 Herst.-Nr.: IHW15N120E1XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = 25V Verlustleistung max. = 156 W Gehäusegröße = PG-TO247 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach
Die Infineon IHW15N120E1 Power Vollmonolithische Gehäusediode mit niedriger Durchlassspannung, die nur für weiche Kommutierung ausgelegt ist und über eine hohe Robustheit und ein temperaturstabiles Verhalten mit niedrigem VCEsat verfügt.Sehr enge Parameter Verteilung Geringe elektromagnetische Störungen Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 30 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | 25V | Verlustleistung max.: | 156 W | Gehäusegröße: | PG-TO247 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266075, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IHW15N120E1XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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