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| Artikel-Nr.: 3794E-2266096 Herst.-Nr.: IKD06N60RFATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 6,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 53,6 W Gehäusegröße = PG-TO252 Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration = Einfach Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 6,5 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 53,6 W | Gehäusegröße: | PG-TO252 | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
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| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2266096, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKD06N60RFATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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