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Vishay TrenchFET Si7252ADP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 13,1 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282827
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     Si7252ADP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0186 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
13,1 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0186 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Transistor-Werkstoff:
Si
Weitere Suchbegriffe: mosfet 13a, 2282827, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, Si7252ADPT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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