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Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282835
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIA938DJT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0215 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
4,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
20 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0215 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2282835, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA938DJTT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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