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| Artikel-Nr.: 3794E-2282840 Herst.-Nr.: SiHA5N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-220 FP Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,35 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Transistor-Werkstoff = Si Serie = E Series Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | TO-220 FP | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,35 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | E Series |
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| Weitere Suchbegriffe: to-220 mosfet, 2282840, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHA5N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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