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Vishay E Series SIHB24N80AE-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 800 V / 21 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282846
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHB24N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,184 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
21 A
Drain-Source-Spannung max.:
800 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,184 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet d2pak, 2282846, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHB24N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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