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| Artikel-Nr.: 3794E-2282876 Herst.-Nr.: SiHP17N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 15 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,305 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Transistor-Werkstoff = Si Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 15 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,305 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Transistor-Werkstoff: | Si |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 2282876, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHP17N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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