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Vishay E Series SIHP21N80AEF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 165,3 A, 3-Pin TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282879
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP21N80AEF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 165,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Serie = E Series
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,25 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
165,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
850 V
Serie:
E Series
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,25 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2282879, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHP21N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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