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| Artikel-Nr.: 3794E-2282881 Herst.-Nr.: SiHP6N80AE-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 5 A Drain-Source-Spannung max. = 850 V Serie = E Series Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,95 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 850 V | Serie: | E Series | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,95 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet to-220ab, 2282881, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiHP6N80AEGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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