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TrenchFET N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282925
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiS590DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 4 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8 Dual
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,167 O, 0,251 O.
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5 V, 2.5 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TrenchFET
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N, P
Dauer-Drainstrom max.:
4 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 1212-8 Dual
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,167 O, 0,251 O.
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5 V, 2.5 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
TrenchFET
Weitere Suchbegriffe: 2282925, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiS590DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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