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Vishay TrenchFET SiSS54DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 185,6 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282933
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SiSS54DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 185,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00106 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
185,6 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00106 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2282933, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SiSS54DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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