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Vishay TrenchFET SQJ136ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 350 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2282952
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJ136ELP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 350 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = TrenchFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,00112 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
350 A
Drain-Source-Spannung max.:
40 V
Serie:
TrenchFET
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,00112 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2282952, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJ136ELPT1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
Die Konditionen im Überblick1
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ab 500 Packungen
CHF 1’946.10*
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