|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-2286510 Herst.-Nr.:
AIKW50N65RF5XKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
| |
|
| | |
| Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Verlustleistung max. = 250 W
Gehäusegröße = PG-TO247-3
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Der Infineon AIKW50N65RF5 ist ein hybrider Leistungs-diskret mit SiC-Stromversorgungstechnologie mit bester Kosteneffizienz und ist der wichtigste Aspekt für Hilfsanwendungen in Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen. Der Hybrid aus 650-V-Trenchstop 5 AUTO-IGBT mit schneller Schaltung und CoolSiC Schottky-Diode für eine kostengünstige Leistungssteigerung für schnell schaltende Kfz-Anwendungen wie Onboard-Ladegerät, PFC, DC/DC und DC/AC.Schneller Trenchstop 5-IGBT mit Schaltgeschwindigkeit Erstklassige Effizienz in harten Schalt- und Resonanztopologien QG mit niedriger Gate-Ladung Maximale Sperrschichttemperatur: 175 °C. Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 80 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20.0V | Verlustleistung max.: | 250 W | Gehäusegröße: | PG-TO247-3 | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: igbt, 2286510, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AIKW50N65RF5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| | |
| |