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| Artikel-Nr.: 3794E-2286520 Herst.-Nr.: F3L11MR12W2M1B74BOMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 100 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = AG-EASY2B Montage-Typ = Schraubmontage Gate-Schwellenspannung max. = 5.15V Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | AG-EASY2B | Montage-Typ: | Schraubmontage | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.15V |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt module infineon, igbt module, mosfet 100a, 2286520, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, F3L11MR12W2M1B74BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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