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| Artikel-Nr.:
3794E-2291734 Herst.-Nr.:
AUIRF6215STRL EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 13 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,29 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in D2-Pak-Gehäuse. Er verfügt über schnelles Schalten und ist vollständig lawinengeprüft. Er ist bleifrei und hat einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand.Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 13 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | HEXFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,29 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet 13a, 2291734, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, AUIRF6215STRL, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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