| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-2291795 Herst.-Nr.: IAUC120N04S6N009ATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 A Drain-Source-Spannung max. = 40 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0009 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0009 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2291795, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IAUC120N04S6N009ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |