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| Artikel-Nr.:
3794E-2291796 Herst.-Nr.:
IAUC120N04S6N009ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0009 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon Leistungs-MOSFET wird für Kfz-Anwendungen verwendet. IT n-Kanal-MOSFET und 100-prozentige Lawinenprüfung. Es ist ein bleifreies Gehäuse mit höchstem Qualitätsniveau und Robustheit für Kfz-Anwendungen. Es handelt sich um einen n-Kanal-Normalpegel-MOSFET.Es ist RoHS-konform und gemäß AEC Q101 zugelassen Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0009 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2291796, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IAUC120N04S6N009ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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