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| Artikel-Nr.:
3794E-2291830 Herst.-Nr.:
IPC50N04S55R8ATMA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = OptiMOS™ 5
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0058 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Infineon n-Kanal-Leistungs-MOSFET für den normalen Betrieb, der für Kfz-Anwendungen verwendet wird. Es ist zu 100 Prozent lawinengeprüft und AEC Q101-zertifiziert.Er ist RoHS-konform Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0058 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.4V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 50a, 2291830, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPC50N04S55R8ATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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