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| Artikel-Nr.:
3794E-2296509 Herst.-Nr.:
NXH006P120MNF2PTG EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 304 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = F2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 36
Drain-Source-Widerstand max. = 0,006 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Transistor-Werkstoff = SiC Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 304 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | F2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 36 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,006 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Transistor-Werkstoff: | SiC |
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| Weitere Suchbegriffe: 2296509, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NXH006P120MNF2PTG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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