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| Artikel-Nr.: 3794E-2296509 Herst.-Nr.: NXH006P120MNF2PTG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 304 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = F2 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 36 Drain-Source-Widerstand max. = 0,006 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V Transistor-Werkstoff = SiC Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 304 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | F2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 36 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,006 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.3V | Transistor-Werkstoff: | SiC |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2296509, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NXH006P120MNF2PTG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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