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| Artikel-Nr.:
3794E-2320389 Herst.-Nr.:
IMW65R048M1HXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 39 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,064 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 39 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Serie: | CoolSiC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,064 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, mosfet, 2320389, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW65R048M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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