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| Artikel-Nr.:
3794E-2320396 Herst.-Nr.:
IMW65R083M1HXKSA1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,111 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,111 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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| Weitere Suchbegriffe: 2320396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW65R083M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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