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| Artikel-Nr.: 3794E-2320396 Herst.-Nr.: IMW65R083M1HXKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 24 A Drain-Source-Spannung max. = 650 V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 0,111 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-247 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,111 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5.7V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2320396, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMW65R083M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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