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Infineon CoolSiC IMZA65R027M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 59 A, 4-Pin TO-247-4


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2320401
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IMZA65R027M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 59 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = CoolSiC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,034 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
59 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Serie:
CoolSiC
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,034 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5.7V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2320401, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IMZA65R027M1HXKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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