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Infineon IGBT / 60 A ±20V max. , 650 V 120 W, 3-Pin To-247-3-HCC N-Kanal


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2326745
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IKWH60N65WR6XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 120 W
Gehäusegröße = To-247-3-HCC
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
60 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
120 W
Gehäusegröße:
To-247-3-HCC
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2326745, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKWH60N65WR6XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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