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| Artikel-Nr.: 3794E-2326757 Herst.-Nr.: ISC0802NLSATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 150 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0036 O, 0,0048 O Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 150 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Serie: | OptiMOS™ 5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0036 O, 0,0048 O | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2326757, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, ISC0802NLSATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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