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STMicroelectronics SCTH60N120G2-7 N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 60 A, 7-Pin H2PAK-7


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2330470
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCTH60N120G2-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
stm mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = H2PAK-7
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,052 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
60 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
H2PAK-7
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
7
Drain-Source-Widerstand max.:
0,052 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
5V
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 2330470, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTH60N120G27, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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