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STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 4-Pin HiP247-4


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2330474
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     SCTWA70N120G2V-4
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 91 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = HiP247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,03 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Transistor-Werkstoff = Silicon
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
91 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Gehäusegröße:
HiP247-4
Montage-Typ:
THT
Pinanzahl:
4
Drain-Source-Widerstand max.:
0,03 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.9V
Transistor-Werkstoff:
Silicon
Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 2330474, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTWA70N120G2V4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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