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| Artikel-Nr.: 3794E-2330474 Herst.-Nr.: SCTWA70N120G2V-4 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 91 A Drain-Source-Spannung max. = 1200 V Gehäusegröße = HiP247-4 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 4 Drain-Source-Widerstand max. = 0,03 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V Transistor-Werkstoff = Silicon Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 91 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1200 V | Gehäusegröße: | HiP247-4 | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,03 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.9V | Transistor-Werkstoff: | Silicon |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, mosfet, 2330474, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, SCTWA70N120G2V4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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