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Mitsubishi IGBT-Modul / 150 A 20V max. Dual, 600 V 1,09 kW 94 x 34 mm


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2332430
Hersteller:
     Mitsubishi
Herst.-Nr.:
     CM150DY-13T#300G
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module mitsubishi
Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 1,09 kW
Gehäusegröße = 94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration = Dual
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
150 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
1,09 kW
Gehäusegröße:
94 x 34 mm
Transistor-Konfiguration:
Dual
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2332430, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM150DY13T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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