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| Artikel-Nr.: 3794E-2332435 Herst.-Nr.: CM300DY-13T#300G EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 300 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 2,21 kW Gehäusegröße = 94 x 48 mm Transistor-Konfiguration = Dual Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 300 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 2,21 kW | Gehäusegröße: | 94 x 48 mm | Transistor-Konfiguration: | Dual |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2332435, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Mitsubishi Electric, CM300DY13T#300G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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