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Infineon OptiMOS™ 3 IPTG111N20NM3FDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 108 A, 8-Pin PG HSOG-8 (TOLG)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
Produktbild
Artikel-Nr.:
     3794E-2334389
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPTG111N20NM3FDATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet infineon
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 108 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0111 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
108 A
Drain-Source-Spannung max.:
200 V
Serie:
OptiMOS™ 3
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,0111 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2334389, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPTG111N20NM3FDATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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