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| Artikel-Nr.: 3794E-2350603 Herst.-Nr.: BSC0803LSATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 44 A Drain-Source-Spannung max. = 100 V Gehäusegröße = SuperSO8 5 x 6 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,0146 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SuperSO8 5 x 6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0146 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor, 2350603, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC0803LSATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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