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| Artikel-Nr.: 3794E-2352667 Herst.-Nr.: QH8KC5TCR EAN/GTIN: k.A. |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = QH8KC5 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | QH8KC5 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,09 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: 2352667, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, QH8KC5TCR, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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