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| Artikel-Nr.: 3794E-2352675 Herst.-Nr.: R6000ENHTB1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 500 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 8,8 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 5V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 500 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,8 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 2352675, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6000ENHTB1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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