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ROHM R6507KND3TL1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 7 A, 3-Pin DPAK (TO-252)


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2352688
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     R6507KND3TL1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet dpak
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,665 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
7 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
0,665 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2352688, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, R6507KND3TL1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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