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| Artikel-Nr.:
3794E-2352809 Herst.-Nr.:
SH8KB7TB1 EAN/GTIN:
k.A. |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 13,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0084 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2 Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 13,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | SOP | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 0,0084 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 |
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| Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, 2352809, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, SH8KB7TB1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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