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ROHM SH8KC6TB1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SOP


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Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2352812
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     SH8KC6TB1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 0,032 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
6,5 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Gehäusegröße:
SOP
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
8
Drain-Source-Widerstand max.:
0,032 Ω
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2.5V
Anzahl der Elemente pro Chip:
2
Weitere Suchbegriffe: 2352812, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, SH8KC6TB1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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