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| Artikel-Nr.: 3794E-2363573 Herst.-Nr.: SSM3J356R,LF(T EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 2 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 4e+008 Ω Gate-Schwellenspannung max. = 2V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 4e+008 Ω | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-23, 2363573, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, SSM3J356R,LF(T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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