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Vishay SIHG24N80AEF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 20 A TO-247AC


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2395377
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHG24N80AEF-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
20 A
Drain-Source-Spannung max.:
850 V
Gehäusegröße:
TO-247AC
Montage-Typ:
THT
Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 2395377, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG24N80AEFGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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