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Vishay SQJQ112E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 296 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 L


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     3794E-2398676
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQJQ112E-T1_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 296 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = PowerPAK 8 x 8 L
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
296 A
Drain-Source-Spannung max.:
100 V
Gehäusegröße:
PowerPAK 8 x 8 L
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
4
Anzahl der Elemente pro Chip:
1
Weitere Suchbegriffe: 2398676, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SQJQ112ET1_GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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