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| Artikel-Nr.: 3794E-2406637 Herst.-Nr.: IQE050N08NM5CGATMA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 101 A Drain-Source-Spannung max. = 80 V Gehäusegröße = PQFN 3 x 3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 101 A | Drain-Source-Spannung max.: | 80 V | Gehäusegröße: | PQFN 3 x 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: pqfn mosfet, 2406637, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IQE050N08NM5CGATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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