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onsemi IGBT / 80 A 20V max. 30-fach, 650 V 268 W TO-247-3L


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2410731
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGHL50T65MQDT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
on semiconductor igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 268 W
Gehäusegröße = TO-247-3L
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
80 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
268 W
Gehäusegröße:
TO-247-3L
Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 2410731, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FGHL50T65MQDT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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