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Infineon IGBT / 42 A 20V max. , 650 V 125 W TO-220-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2420978
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGP20N65H5XKSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 42 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 125 W
Gehäusegröße = TO-220-3
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
42 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
20V
Verlustleistung max.:
125 W
Gehäusegröße:
TO-220-3
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2420978, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGP20N65H5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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