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| Artikel-Nr.: 3794E-2420979 Herst.-Nr.: IKP28N65ES5XKSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = 20V Verlustleistung max. = 130 W Gehäusegröße = TO-220-3 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 38 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | 20V | Verlustleistung max.: | 130 W | Gehäusegröße: | TO-220-3 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 2420979, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IKP28N65ES5XKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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