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Infineon IGBT / 4 A ±20.0V max., 600 V 42 W TO-251


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2440896
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGU04N60TAKMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Verlustleistung max. = 42 W
Gehäusegröße = TO-251
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
4 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20.0V
Verlustleistung max.:
42 W
Gehäusegröße:
TO-251
Weitere Suchbegriffe: igbt, 2440896, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGU04N60TAKMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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