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Infineon IGBT-Modul / 65 A +/-20V max. 7-fach, 600 V 175 W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-2445399
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     FP50R06W2E3BOMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 65 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = +/-20V
Verlustleistung max. = 175 W
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
65 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
+/-20V
Verlustleistung max.:
175 W
Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445399, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FP50R06W2E3BOMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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