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| Artikel-Nr.: 3794E-2445404 Herst.-Nr.: FS150R12KT3BOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = +/-20V Anzahl an Transistoren = 6 Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 200 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | +/-20V | Anzahl an Transistoren: | 6 |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445404, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS150R12KT3BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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