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| Artikel-Nr.: 3794E-2445817 Herst.-Nr.: FD150R12RT4HOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 150 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 790 W Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 150 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 790 W |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445817, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FD150R12RT4HOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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