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| Artikel-Nr.: 3794E-2445858 Herst.-Nr.: FS100R12KE3BOSA1 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 140 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 480 W Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 140 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 480 W |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, 2445858, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IGBT, Infineon, FS100R12KE3BOSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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