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ROHM BSM180D12P2C101 N-Kanal, Schraub SiC-Leistungsmodul 1200 V / 204 A 1360 W


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Produktbild
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Artikel-Nr.:
     3794E-2461508
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSM180D12P2C101
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 204 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Montage-Typ = Schraubmontage
Verlustleistung max. = 1360 W
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = -40 °C
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
204 A
Drain-Source-Spannung max.:
1200 V
Montage-Typ:
Schraubmontage
Verlustleistung max.:
1360 W
Betriebstemperatur max.:
+150 °C
Betriebstemperatur min.:
-40 °C
Weitere Suchbegriffe: 2461508, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, ROHM, BSM180D12P2C101, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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CHF 4’974.762
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